| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及半导体器件及其制造方法。本发明提供了一种半导体器件的制造方法，包括以下步骤：提供衬底，所述衬底具有有源区，在衬底上方形成有第一层间电介质层，所述第一层间电介质层具有穿过所述第一层间电介质层的第一开口，以使有源区的部分表面露出；以填充材料填充所述第一开口，所述填充材料能够被相对于所述第一层间电介质层的材料选择性地去除；在第一层间电介质层上方形成第二层间电介质层，所述第二层间电介质层具有穿过所述第二层间电介质的第二开口，以使得基本露出相应的所述第一开口中的所述填充材料的上端部分；去除所述填充材料；以及以导电材料填充所述第一开口和所述第二开口，以形成接触件。 | ||
| 申请公布号 | CN102789985A | 申请公布日期 | 2012.11.21 |
| 申请号 | CN201110131053.3 | 申请日期 | 2011.05.20 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 王新鹏 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 刘倜 |
| 主权项 | 一种半导体器件的制造方法，其特征在于：所述方法包括以下步骤：提供衬底，所述衬底具有有源区，在衬底上方形成有第一层间电介质层，所述第一层间电介质层具有穿过所述第一层间电介质层的第一开口，以使有源区的部分表面露出；以填充材料填充所述第一开口，所述填充材料能够被相对于所述第一层间电介质层的材料选择性地去除；在第一层间电介质层上方形成第二层间电介质层，所述第二层间电介质层具有穿过所述第二层间电介质的第二开口，以使得基本露出相应的所述第一开口中的所述填充材料的上端部分；去除所述填充材料；以及以导电材料填充所述第一开口和所述第二开口，以形成接触件。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||