一种干法深度刻蚀多层硅结构的掩模方法

摘要

本发明公开了一种干法深度刻蚀多层硅结构的掩模方法，包括以下步骤：A.Az正胶图案的光刻；B.获得Az正胶图案为掩模进行硅结构的深度刻蚀；C.清洁Az掩模及硅结构，涂敷第1层Su8负胶；D.通过对准标记，进行Su8胶的光刻获得下层结构的掩模图案；E.以D所得图案为掩模深度刻蚀下层硅结构；重复上述步骤获得具有较大结构深度的多层硅微结构。有益效果是：由于选用Su8胶作为感应耦合等离子体深度反应刻蚀的掩模，对刻蚀的结构起到了保护作用，有效避免了前次刻蚀结构暴露在等离子体下受离子的直接物理轰击，该方法工艺重复性好，可在同一零件中重复运用，实现三层甚至更多层具有大高宽比的单晶硅微结构。

主权项

一种干法深度刻蚀多层硅结构的掩模方法，其特征在于包括以下步骤：A．Az正胶图案的光刻；B．获得Az正胶图案为掩模进行第一层硅结构的深度刻蚀；C．清洁Az掩模及第一层硅结构，实体填充第1层Su8负胶；D．通过对准标记，进行Su8胶的光刻获得第二层结构的掩模图案；E．以D所得图案为掩模深度刻蚀第二层硅结构；F．清洁Su8胶掩模及第二层硅结构，实体填充第2层Su8负胶；G．通过对准标记，进行Su8胶的光刻获得第三层结构的掩模图案；H．以G所得的图案为掩模深度刻蚀第三层硅结构。