发明名称 | 复合介电层及其制作方法 | ||
摘要 | 一种复合介电层及其制作方法,所述的复合介电层包括,氮掺杂的碳化硅层,碳掺杂的氧化硅层以及位于氮掺杂的碳化硅层和碳掺杂的氧化硅层之间的连接层。所述复合介电层及其制作方法提高了氮掺杂的碳化硅层和碳掺杂的氧化硅层之间粘附力。 | ||
申请公布号 | CN102110669B | 申请公布日期 | 2012.11.21 |
申请号 | CN200910200945.7 | 申请日期 | 2009.12.25 |
申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 张彬 |
分类号 | H01L23/532(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/532(2006.01)I |
代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 屈蘅;李时云 |
主权项 | 一种复合介电层,其特征在于,包括:氮掺杂的碳化硅层,碳掺杂的氧化硅层以及位于氮掺杂的碳化硅层和碳掺杂的氧化硅层之间的连接层,其中,所述的连接层的材料包括氧化硅或氧化硅与碳掺杂的氧化硅混合物。 | ||
地址 | 201203 上海市张江路18号 |