半导体器件及其制造方法

摘要

晶圆结构(88)包括器件晶圆(20)以及帽晶圆(60)。所述器件晶圆(20)上的每一个半导体管芯(22)包括微电子器件(26)以及终端元件(28,30)。栅栏(36,52)放置在所述器件晶圆(20)的非活跃区(32,50)。所述帽晶圆(60)耦合于所述器件晶圆(20)，以及覆盖所述半导体管芯(22)。移除所述帽晶圆(60)的部分(72)以暴露所述终端元件(28,30)。所述栅栏(36,52)可以高于元件(28,30)，以及当所述部分(72)被移除的时候，起到阻止所述部分(72)与所述终端元件(28,30)接触的功能。单一化切割所述晶圆结构(88)以形成多个半导体器件(89)，每一个器件(89)包括被所述帽晶圆(60)的截面覆盖的微电子器件(26)以及从所述帽晶圆(60)暴露出来的所述终端元件(28,30)。

主权项

一种制作半导体器件的方法，包括：在器件晶圆的一侧形成半导体管芯，所述半导体管芯包括微电子器件以及与所述微电子器件电通信的终端元件；在所述器件晶圆的非活跃区放置栅栏，所述非活跃区与所述终端元件位置相邻；耦合帽晶圆于所述器件晶圆以形成晶圆结构，所述帽晶圆覆盖所述半导体管芯;以及移除部分的所述帽晶圆，以暴露所述终端元件，其中当移除所述部分的所述帽晶圆时，所述栅栏基本上阻止所述部分与所述终端元件接触。