发明名称 半导体装置的制法、半导体装置的安装方法及安装结构
摘要 本发明提供一种谋求提高半导体装置的生产率的半导体装置的制造方法、半导体装置的安装方法及安装结构。在保护膜(4)上,涂抹作为形成突起体(5)的感光性树脂的丙烯酸树脂来形成树脂层。在该树脂层上将具有开口部的掩模定位配置在规定的位置上,进而,通过在掩模上照射紫外线,使在开口部露出的树脂层的一部分曝光。通过紫外线固化树脂,形成上面为平面的圆柱形状突起体(5b)。接着,将紫外线(11)照射在突起体(5b)上,来加热突起体(5b),使形成突起体(5b)的丙烯酸树脂熔解。由于在熔解的树脂上产生表面张力,所以平面的突起体(5b)的上面变形为光滑的曲面。因此,由突起体(5b)形成近似半球形状的突起体(5)。
申请公布号 CN101562144B 申请公布日期 2012.11.21
申请号 CN200910142033.9 申请日期 2006.03.21
申请人 精工爱普生株式会社 发明人 田中秀一
分类号 H01L21/60(2006.01)I;H01L21/58(2006.01)I;H01L23/488(2006.01)I;H01L23/482(2006.01)I 主分类号 H01L21/60(2006.01)I
代理机构 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人 汪惠民
主权项 一种半导体装置的制造方法,其中通过实施加热加压处理并利用接合材料(25)将半导体装置(1)安装到安装基板(20)上,所述半导体装置(1)具有:半导体基板;在所述半导体基板上形成的电极(3);按照使所述电极的电极焊盘露出的形态,覆盖所述电极和所述半导体基板的绝缘性的保护膜;从所述电极(3)突出并由树脂形成的凸部(5)、和与所述电极(3)电连接且到达所述凸部(5)的上面的导电层(6),所述凸部(5)是使所述树脂熔解而形成的,所述制造方法包括:形成由感光性树脂构成的树脂层的步骤,所述树脂层覆盖所述保护膜的整体和所述电极焊盘;在所述树脂层上配置掩膜的步骤;通过所述掩模的开口部,进行紫外线照射,使在所述开口部内露出的所述树脂层的部分紫外线固化,由此将在所述开口部内露出的所述树脂层的部分形成为上面为平面的圆柱形状的突起体的步骤;显影所述树脂层,由此除去所述突起体以外的所述树脂层的部分,其结果,使所述电极焊盘和所述保护膜露出的步骤;利用辐射热来加热所述突起体,由此熔解所述突起体,其结果,形成截面为半圆状的凸部的步骤;形成覆盖所述电极焊盘和所述凸部的金属膜的步骤;和对所述金属膜进行图案形成,由此形成与所述电极焊盘电连接的导电层的步骤,所述导电层到达所述凸部的上面。
地址 日本东京