| 发明名称 | 一种用于静电放电的晶闸管 | ||
| 摘要 | 一种用于静电放电的晶闸管，包括：寄生PNP管、寄生NPN管及短沟道NMOS管；所述寄生PNP管的发射极连接阳极接线柱，其基极通过N阱的寄生电阻连接阳极接线柱；其集电极连接寄生NPN管的基极，并通过P阱的寄生电阻连接阴极接线柱；所述寄生NPN管的发射极连接阴极接线柱，其集电极通过N阱的寄生电阻连接阳极接线柱；所述短沟道NMOS管的漏极通过N阱的寄生电阻连接阳极接线柱，其源极连接阴极接线柱，所述短沟道NMOS管的栅长小于0.35微米。本发明通过在一定范围内变化短沟道NMOS管的实际栅长，能够得到较低的且可以调节的晶闸管触发电压。 | ||
| 申请公布号 | CN102054836B | 申请公布日期 | 2012.11.21 |
| 申请号 | CN200910198070.1 | 申请日期 | 2009.10.28 |
| 申请人 | 上海宏力半导体制造有限公司 | 发明人 | 何军;单毅 |
| 分类号 | H01L27/04(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L23/60(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/04(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 李丽 |
| 主权项 | 一种用于静电放电的晶闸管，其特征在于，包括：寄生PNP管、寄生NPN管及短沟道NMOS管；所述寄生PNP管的发射极连接阳极接线柱，其基极通过N阱的寄生电阻连接阳极接线柱；其集电极连接寄生NPN管的基极，并通过P阱的寄生电阻连接阴极接线柱；所述寄生NPN管的发射极连接阴极接线柱，其集电极通过N阱的寄生电阻连接阳极接线柱；所述短沟道NMOS管的漏极通过N阱的寄生电阻连接阳极接线柱，其源极连接阴极接线柱，所述短沟道NMOS管的栅长小于0.35微米。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东张江高科技园区祖冲之路1399号 | ||