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一种铈钇铝石榴石晶体生长方法，所述铈钇铝石榴石晶体的化学组成表示为(Y1‑x‑m‑nGdx)3(GayAl1‑y)5O12:3mCe,3nR,其中：R为Pr,Sm,Tb,Dy中的一种；其中0≤x≤0.5,0≤y≤0.5,0.01≤m≤0.1,0≤n≤0.1,所述生长方法依次包括以下步骤：步骤1：以Pr6O11,Tb4O7,Sm2O3,Dy2O3中的一种，以及Y2O3,Al2O3,CeO2,Gd2O3与Ga2O3,作为初始原料，初始原料各成分按所述铈钇铝石榴石晶体的化学组成进行配比，并进行固相反应；步骤2：将步骤（1）得到的固相反应产物以及经过定向的籽晶装入坩埚中，转移至高温下降炉内，整个系统密封后升温，并抽真空至10‑2‑10‑4Pa，当炉温达1100‑1400℃时充入惰性保护气体，继续升温至设定温度，所述设定温度在1800‑2050℃的范围内；步骤3：炉温达到设定温度后，保温1‑5小时，通过调节炉膛温度和坩埚位置，使原料及籽晶顶部熔化，实现接种生长，将晶体生长的固液界面温度梯度设定在5‑50℃/cm的范围内，坩埚下降速率控制在0.1‑3.0mm/h之间；步骤4：晶体生长结束后，以20‑80℃/h的速度降温，对所生长的晶体进行原位退火处理；本方法中，炉膛设有多个坩埚工位，同时放置有两个以上的坩埚，并同时在同一个炉中进行晶体生长，各坩埚具有同等的晶体生长条件。 |
