具有大电源抑制比的用于生成可调带隙参考电压的设备

摘要

本发明涉及具有大电源抑制比的用于生成可调带隙参考电压的设备。该设备包括：第一装置，用于生成与绝对温度成正比的电流，包括连接到芯的端子并且设计成均衡在芯的端子两端的电压的第一处理装置；第二装置，用于生成与绝对温度成反比的电流，连接到芯；以及输出模块，设计成生成参考电压；第一处理装置包括第一放大器和反馈级，第一放大器拥有至少一个第一级，第一级基于与绝对温度成反比的电流偏置、根据折叠设置布置且包括根据共同栅极设置布置的第一PMOS晶体管，反馈级的输入连接到放大器的输出而反馈级的输出连接到第一级的输入及芯的至少一个端子，第二生成装置包括连接到芯的端子且与第一放大器分离的跟随放大器设置，输出模块连接到反馈级。

主权项

一种用于生成可调带隙参考电压的设备，包括：第一装置，用于生成与绝对温度成正比的电流，包括第一处理装置，所述第一处理装置连接到芯(CR)的端子并且设计成均衡在所述芯的所述端子两端的电压；第二装置，用于生成与绝对温度成反比的电流(Ictat)，连接到所述芯；以及输出模块(MDS)，设计成生成所述参考电压(VBG)，其特征在于，所述第一处理装置包括第一放大器(AMP1)和反馈级(ETR)，所述第一放大器拥有至少一个第一级(ET1)，所述第一级基于所述与绝对温度成反比的电流来偏置、根据折叠设置来布置并且包括根据共同栅极设置布置的第一PMOS晶体管(M3，M4)，所述反馈级的输入连接到所述放大器的输出而所述反馈级的输出连接到所述第一级的输入以及所述芯的至少一个端子(BE1，BE2)，所述第二生成装置包括连接到所述芯的端子(BE2)并且与所述第一放大器(AMP1)分离的跟随放大器设置(AMP2，M15)，并且所述输出模块(MDS)连接到所述反馈级。