发明名称 |
半导体器件 |
摘要 |
本发明的目的在于提供由使用高集成性SGT的SRAM所组成的半导体器件。在本发明中,SRAM中所使用的反相器具备:第1岛状半导体层;第1栅极绝缘膜,在第1岛状半导体层的周围上至少接触一部分;第1栅极电极,其第1面接触于第1栅极绝缘膜;第2栅极绝缘膜,接触于第1栅极电极的另一面;第1弧状半导体层,接触于第2栅极绝缘膜;第1导电型的第1高浓度半导体层,配置在第1岛状半导体层的上部;第1导电型的第2高浓度半导体层,配置在第1岛状半导体层的下部;第2导电型的第1高浓度半导体层,配置在第1弧状半导体层的上部;及第2导电型的第2高浓度半导体层,配置在第1弧状半导体层的下部。 |
申请公布号 |
CN101908544B |
申请公布日期 |
2012.11.14 |
申请号 |
CN201010198433.4 |
申请日期 |
2010.06.07 |
申请人 |
新加坡优尼山帝斯电子私人有限公司 |
发明人 |
舛冈富士雄;中村广记 |
分类号 |
H01L27/088(2006.01)I;H01L27/11(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L29/36(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L21/8244(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/088(2006.01)I |
代理机构 |
隆天国际知识产权代理有限公司 72003 |
代理人 |
郑小军;冯志云 |
主权项 |
一种半导体器件,其特征在于,具备第1反相器、第2反相器、第1选择晶体管及第2选择晶体管,其中,该第1反相器配置在第1行第1列,且具备:第1岛状半导体层;第1栅极绝缘膜,在所述第1岛状半导体层的周围上至少接触一部分;第1栅极电极,其第1面接触于所述第1栅极绝缘膜;第2栅极绝缘膜,其第1面接触于所述第1栅极电极的第2面;第1弧状半导体层,以接触于所述第2栅极绝缘膜的第2面的一部分的方式形成;第1导电型的第1高浓度半导体层,配置在所述第1岛状半导体层的上部;第1导电型的第2高浓度半导体层,配置在所述第1岛状半导体层的下部;第2导电型的第1高浓度半导体层,配置在所述第1弧状半导体层的上部;及第2导电型的第2高浓度半导体层,配置在所述第1弧状半导体层的下部;该第2反相器配置在第2行第2列,且具备:第2岛状半导体层;第3栅极绝缘膜,在所述第2岛状半导体层的周围上至少接触一部分;第2栅极电极,其第1面接触于所述第3栅极绝缘膜;第4栅极绝缘膜,其第1面接触于所述第2栅极电极的第2面;第2弧状半导体层,以接触于所述第4栅极绝缘膜的第2面的一部分的方式形成;第1导电型的第3高浓度半导体层,配置在所述第2岛状半导体层的上部;第1导电型的第4高浓度半导体层,配置在所述第2岛状半导体层 的下部;第2导电型的第3高浓度半导体层,配置在所述第2弧状半导体层的上部;及第2导电型的第4高浓度半导体层,配置在所述第2弧状半导体层的下部;该第1选择晶体管配置在第1行第2列,且具备:第3岛状半导体层;第5栅极绝缘膜,在所述第3岛状半导体层的周围上至少接触一部分;第3栅极电极,其一部分接触于所述第5栅极绝缘膜;第2导电型的第5高浓度半导体层,配置在所述第3岛状半导体层的上部;及第2导电型的第6高浓度半导体层,配置在所述第3岛状半导体层的下部;该第2选择晶体管配置在第2行第1列,且具备:第4岛状半导体层;第6栅极绝缘膜,在所述第4岛状半导体层的周围上至少接触一部分;第4栅极电极,其一部分接触于所述第6栅极绝缘膜;第2导电型的第7高浓度半导体层,配置在所述第4岛状半导体层的上部;及第2导电型的第8高浓度半导体层,配置在所述第4岛状半导体层的下部。 |
地址 |
新加坡柏龄大厦 |