发明名称 |
具有镓离子的离子束的产生方法及其装置 |
摘要 |
本发明提供一种具有镓离子的离子束的产生方法及其装置。在一实施例中,一种具有镓离子的离子束的产生方法,其包括在等离子体腔室中提供至少部分的镓化合物靶材,此镓化合物靶材包括镓以及至少一种额外元素。具有镓离子的离子束的产生方法还包括在等离子体腔室中,使用至少一种气态物种来启动等离子体及提供气态的蚀刻物种源,以与镓化合物靶材反应,从而形成挥发性镓物种。 |
申请公布号 |
CN104603908B |
申请公布日期 |
2017.03.08 |
申请号 |
CN201380033131.3 |
申请日期 |
2013.05.03 |
申请人 |
瓦里安半导体设备公司 |
发明人 |
科斯特尔·拜洛;奎格·钱尼;奈尔·巴森;班杰明·科伦贝亚努;丹尼斯·P·罗迪尔 |
分类号 |
H01J27/08(2006.01)I;H01J37/08(2006.01)I |
主分类号 |
H01J27/08(2006.01)I |
代理机构 |
北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 |
代理人 |
马雯雯;臧建明 |
主权项 |
一种具有镓离子的离子束的产生方法,包括:在等离子体腔室中提供至少部分的三氟化镓靶材;在所述等离子体腔室中,使用不含氟气体产生惰性气体离子来启动等离子体;以及利用所述惰性气体离子产生气态的蚀刻物种与所述三氟化镓靶材反应,形成镓离子。 |
地址 |
美国麻萨诸塞州格洛斯特郡都利路35号 |