发明名称 |
一种超高密度垂直磁记录磁性薄膜的制备方法 |
摘要 |
一种超高密度垂直磁记录磁性薄膜的制备方法,涉及磁记录、信息存储和再现信息记录等技术领域,在清洗后的单晶硅片的背面放置永磁体,当磁溅射室内的背底真空度为3×10-5~8×10-5Pa、氩气气压为0.7~0.9Pa时开始进行CoFePtC磁溅射,在单晶硅片的正面形成Co1-x-yFexPtCy沉积薄膜,然后将单晶硅片放入真空退火炉中进行热处理,形成厚度为300~800nm的薄膜。本发明添加掺杂原子Fe和间隙原子C,有效提高和控制了薄膜在垂直方向的磁晶各向异性,使薄膜具有垂直取向度高、矫顽力大和化学稳定性好等特点。 |
申请公布号 |
CN102194472B |
申请公布日期 |
2012.11.14 |
申请号 |
CN201110052933.1 |
申请日期 |
2011.03.07 |
申请人 |
南通万宝实业有限公司 |
发明人 |
张朋越;周连明;泮敏翔 |
分类号 |
G11B5/667(2006.01)I;G11B5/855(2006.01)I |
主分类号 |
G11B5/667(2006.01)I |
代理机构 |
扬州市锦江专利事务所 32106 |
代理人 |
江平 |
主权项 |
一种薄膜的原子百分比组成为Co1‑x‑yFexPtCy,其中x=0.01~0.8,y=0.01~0.15,薄膜的厚度为300~800nm的超高密度垂直磁记录磁性薄膜的制备方法,其特征在于,在清洗后的单晶硅片的背面放置表面磁场强度为0.5~1T的永磁体,当磁溅射室内的背底真空度为3×10‑5~8×10‑5Pa、氩气气压为0.7~0.9Pa时开始进行CoFePtC磁溅射,在单晶硅片的正面形成Co1‑x‑yFexPtCy沉积薄膜,然后将单晶硅片放入真空退火炉中进行热处理。 |
地址 |
226600 江苏省南通市海安镇黄海西大道88号 |