| 发明名称 | p型AlGaN层及其制造方法和Ⅲ族氮化物半导体发光元件 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种用于提高了载流子浓度和提高了光输出的p型AlGaN层、用于制造p型AlGaN层的方法以及III族氮化物半导体发光元件。用于制造p型AlGaN层的方法的特征在于，通过多次重复第一步骤和第二步骤来形成p型AlxGa1-xN层(0≤x<1)，其中，第一步骤用于以III族原料气体流量A1(0≤A1)提供III族原料气体、以V族原料气体流量B1(0<B 1)提供V族原料气体并且以含镁气体流量C1(0<C1)提供含镁气体，以及第二步骤用于以III族原料气体流量A2(0<A2)提供III族原料气体、以V族原料气体流量B2(0<B 2)提供V族原料气体并且以含镁气体流量C2(0<C2)提供含镁气体，III族原料气体流量A 1是不允许p型AlxGa1-xN层生长、并且满足A1≤0.5A2的流量。 | ||
| 申请公布号 | CN102782808A | 申请公布日期 | 2012.11.14 |
| 申请号 | CN201080063667.6 | 申请日期 | 2010.12.10 |
| 申请人 | 同和电子科技有限公司 | 发明人 | 大鹿嘉和;松浦哲也 |
| 分类号 | H01L21/205(2006.01)I;C23C16/34(2006.01)I;C23C16/455(2006.01)I;H01L33/32(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/205(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人 | 刘新宇 |
| 主权项 | 一种用于制造p型AlGaN层的方法，其中，所述p型AlGaN层是通过MOCVD所形成的掺杂有镁的p型AlxGa1‑xN层(0≤x<1)，所述方法包括以下步骤：第一步骤，用于以III族原料气体流量A1(0≤A1)提供III族原料气体、以V族原料气体流量B1(0<B1)提供V族原料气体，并且以含镁气体流量C1(0<C1)提供含镁气体；以及第二步骤，用于以III族原料气体流量A2(0<A2)提供III族原料气体、以V族原料气体流量B2(0<B2)提供V族原料气体，并且以含镁气体流量C2(0<C2)提供含镁气体，其中，多次重复所述第一步骤和所述第二步骤以形成所述p型AlxGa1‑xN层，以及所述III族原料气体流量A1是不允许所述p型AlxGa1‑xN层生长、并且满足A1≤0.5A2的流量。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||