| 发明名称 | 具有半导体芯片和转换元件的发射辐射的器件和其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种具有半导体芯片（1）和转换元件（2）的发射辐射的器件（10），其中半导体芯片（1）包括适合于产生电磁辐射的有源层和辐射出射面（11）。转换元件（2）包括基体材料（2a）和发光材料（2b），其中转换元件（2）设置在半导体芯片（1）的辐射出射面（11）下游。基体材料包括40重量%的碲氧化物并且没有三氧化二硼和/或锗氧化物。此外提出一种用于制造这种发射辐射的器件（10）的方法。 | ||
| 申请公布号 | CN102782888A | 申请公布日期 | 2012.11.14 |
| 申请号 | CN201180011327.3 | 申请日期 | 2011.02.25 |
| 申请人 | 欧司朗光电半导体有限公司;欧司朗股份有限公司 | 发明人 | 安杰拉·埃贝哈特;约阿基姆·维特-舍恩;埃瓦尔德·珀斯尔 |
| 分类号 | H01L33/50(2006.01)I;H01L33/56(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/50(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 张春水;田军锋 |
| 主权项 | 发射辐射的器件（10），具有半导体芯片（1）和转换元件（2），其中‑所述半导体芯片（1）包括适合于产生电磁辐射的有源层和辐射出射面（11），‑所述转换元件（2）包括基体材料（2a）和发光材料（2b），其中所述基体材料（2a）包括至少40重量%的碲氧化物并且没有三氧化二硼和/或锗氧化物，并且‑所述转换元件（2）设置在所述半导体芯片（1）的所述辐射出射面（11）下游。 | ||
| 地址 | 德国雷根斯堡 | ||