| 发明名称 | 对非易失性存储器件编程的方法 | ||
| 摘要 | 一种非易失性存储器件的编程方法可以包括：提供存储器件，其中在对存储块的擦除操作中对第一字线预编程；响应于对所述第一字线的编程命令，通过向第二字线施加预编程电压并向其余字线施加通行电压来对所述第二字线执行预编程操作，所述第二字线是所述第一字线在漏极选择线方向上的下一字线；以及通过向所选择的字线施加编程电压并向未选择的字线施加通行电压来对所述第一字线执行编程操作。 | ||
| 申请公布号 | CN101471138B | 申请公布日期 | 2012.11.14 |
| 申请号 | CN200810170234.5 | 申请日期 | 2008.10.14 |
| 申请人 | 海力士半导体有限公司 | 发明人 | 李熙烈 |
| 分类号 | G11C16/10(2006.01)I | 主分类号 | G11C16/10(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 杨林森;康建峰 |
| 主权项 | 一种对非易失性存储器件编程的方法，包括：提供存储器件，其中根据预编程操作在对存储块的擦除操作中对第一字线预编程；响应于对所述第一字线的编程命令，通过向第二字线施加预编程电压并向其余字线施加通行电压来对所述第二字线执行预编程操作，所述第二字线是所述第一字线在漏极选择线方向上的下一字线；以及通过向所选择的字线施加编程电压并向未选择的字线施加通行电压来对所述第一字线执行编程操作。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道利川市 | ||