金属-氧化硅-金属电容器的制作方法

摘要

本发明公开了一种金属-氧化硅-金属电容器的制作方法，该方法通过先形成低k值介质和高k值氧化硅的混合层；接着进行传统工艺的光刻蚀刻，在低k值介质和高k值氧化硅中分别形成互连金属槽和电容金属槽，并在槽中填充金属；从而在高K值氧化硅中实现了高性能MOM电容器结构，在其他区域实现低k值互连。其中，高k值氧化硅的形成采用PECVD沉积和含氮气体处理循环进行的方式，能有效去除氧化硅中的硅氢键。与传统的单一k值介质结构相比，本发明既能有效提高层内电容器的电容，又改善了MOM电容器的击穿电压、漏电流等各电特性，以及各器件间的电学均匀性。

主权项

一种金属‑氧化硅‑金属电容器的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：提供衬底；在所述衬底上沉积低K值介质层；对所述低K值介质层进行光刻及刻蚀，在所述低K值介质层中形成MOM电容器槽；通过等离子体增强化学气相沉积和含氮气体处理两步循环的方式在所述MOM电容器槽中形成氧化硅；对所述低K值介质层及所述氧化硅进行光刻及刻蚀，分别在所述低K值介质层及所述氧化硅中形成互连金属槽及电容金属槽；在所述互连金属槽及电容金属槽中填充金属。