发明名称 |
一种高压及功率器件场限环的新型保护环 |
摘要 |
本专利公开的一种高压及功率器件场限环的新型保护环,是为了克服微电子领域功率器件设计、生产中常用的场限环技术存在的潜在可靠性隐患而专门设计和制作的。所述高压及功率器件场限环的新型保护环,就是在常规场限环的不同位置,规则的(等距的)或随机的(不等距)设置割断点,使原来连续的保护环成为一段一段的非连续环。规则的或随机的割断点尺寸要控制得比较小,其基本的要求就是要保证割断下面的衬底是耗尽的,这样才能保持原来环的保护功能。为了获得更高的保护电压,非连续的新型保护环可以做成二环,三环甚至多环的结构。在多环结构的情况下,无论保护环割断的设计是规则的或是随机的,两个环之间的割断点必须是错开的,不能够出现并行排列的情况。 |
申请公布号 |
CN102779812A |
申请公布日期 |
2012.11.14 |
申请号 |
CN201110121400.4 |
申请日期 |
2011.05.10 |
申请人 |
重庆万道光电科技有限公司 |
发明人 |
郭林 |
分类号 |
H01L23/58(2006.01)I;H01L23/62(2006.01)I |
主分类号 |
H01L23/58(2006.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
一种高压及功率器件场限环的新型保护环,其特征在于这种新型场限环的保护环结构是非连续性的,是一段一段分隔开的。 |
地址 |
401120 重庆市北部新区星光大道62号海王星科技大厦5区9层 |