| 发明名称 | 半导体外延基板 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体层的镶嵌性低且适合半导体器件的制作的半导体外延基板。该半导体外延基板在具有第一晶格常数的半导体基板上使倾斜缓冲层和半导体层进行外延生长而制成，其中，所述倾斜缓冲层以使晶格常数在第一晶格常数和大于第一晶格常数的第二晶格常数的范围内呈阶段性增加的方式使组分倾斜，所述半导体层由具有第二晶格常数的半导体晶体构成，在所述半导体外延基板中，在设从[100]方向向[011]方向按顺时针旋转的方向为正时，半导体层的(mnn)面(m、n是整数，但排除m＝n＝0)和半导体基板的(mnn)面所成的角为+0.05º以上。 | ||
| 申请公布号 | CN102782195A | 申请公布日期 | 2012.11.14 |
| 申请号 | CN201180011758.X | 申请日期 | 2011.03.01 |
| 申请人 | 吉坤日矿日石金属株式会社 | 发明人 | 角田浩二;野崎龙也;金井进 |
| 分类号 | C30B29/40(2006.01)I;C23C16/30(2006.01)I;C30B25/18(2006.01)I;H01L21/205(2006.01)I | 主分类号 | C30B29/40(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 吕琳;李浩 |
| 主权项 | 一种半导体外延基板，在具有第一晶格常数的半导体基板上使倾斜缓冲层和半导体层（光吸收层）进行外延生长而制成，所述倾斜缓冲层以使晶格常数在所述第一晶格常数和大于所述第一晶格常数的第二晶格常数的范围内呈阶段性增加的方式使组分倾斜，所述半导体层由具有所述第二晶格常数的半导体晶体构成，所述半导体外延基板的特征在于，在设从[100]方向向[011]方向按顺时针旋转的方向为正时，所述半导体层的（mnn）面（m、n是整数，但排除m＝n＝0）和所述半导体基板的（mnn）面所成的角为+0.05º以上。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||