发明名称 转移叠层的方法以及制造半导体器件的方法
摘要 转移叠层的方法以及制造半导体器件的方法本发明的目的是提供一种在短时间内将待要剥离的物体转移到转移部件上而不对叠层中待要剥离的物体造成损伤的方法。而且,本发明的另一目的是提供一种制造半导体器件的方法,其中,制造在衬底上的半导体元件被转移到转移部件,典型地说是塑料衬底上。此方法的特征在于包括:在衬底上形成剥离层和待要剥离的物体;通过双面胶带键合待要剥离的物体和支座;用物理方法从剥离层剥离待要剥离的物体,然后将待要剥离的物体键合到转移部件上;以及从待要剥离的物体剥离支座和双面胶带。
申请公布号 CN1458665B 申请公布日期 2012.11.14
申请号 CN03123823.8 申请日期 2003.05.16
申请人 株式会社半导体能源研究所 发明人 高山彻;后藤裕吾;丸山纯矢;大野由美子
分类号 H01L21/00(2006.01)I 主分类号 H01L21/00(2006.01)I
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人 吴立明;梁永
主权项 一种转移叠层的方法,它包含:在第一衬底上形成物体,其间置入剥离层;将支座键合到所述物体,其间置入可剥离的粘合剂媒质;其中,所述可剥离的粘合剂媒质是双面胶带;在剥离层处将所述物体从第一衬底剥离,将所述物体键合到第一转移部件;通过紫外线辐照将所述物体从所述可剥离的粘合剂媒质的一侧剥离;以及通过加热将所述支座从所述可剥离的粘合剂媒质的另一侧剥离,其中,所述剥离层是金属层和氮化物层之一。
地址 日本神奈川县厚木市