发明名称 一种氧化镍基记忆存储薄膜微细图形的制备方法
摘要 本发明公开了一种氧化镍基记忆存储薄膜微细图形的制备方法,先进行感光性氧化镍基凝胶膜的制备,然后通过浸渍提拉法制备得到氧化镍基凝胶膜,最后用紫外光或激光束照射氧化镍基凝胶膜,溶洗后即得。通过一个过程可以实现凝胶膜的制备与微细加工,这样避免了光刻胶的使用,缩短了光刻周期,以及复杂设备的支持,很容易获得所需图形的功能薄膜,且薄膜的性能不会受到影响。
申请公布号 CN102778811A 申请公布日期 2012.11.14
申请号 CN201210259315.9 申请日期 2012.07.26
申请人 西安理工大学 发明人 李颖;赵高扬;石芬
分类号 G03F7/00(2006.01)I 主分类号 G03F7/00(2006.01)I
代理机构 西安弘理专利事务所 61214 代理人 李娜
主权项 一种氧化镍基记忆存储薄膜微细图形的制备方法,其特征在于,按照以下步骤实施:步骤1.具有感光性氧化镍基凝胶膜的制备将醋酸镍加入到乙二醇甲醚中,其中镍离子的摩尔浓度为:0.5‑0.6mol/L,用磁力搅拌器搅拌至醋酸镍充分溶解在乙二醇甲醚中,再加入化学修饰剂继续搅拌,直至混合液澄清,得到绿色透明的氧化镍溶胶,静置20~24小时后待用;步骤2.通过浸渍提拉法制备得到氧化镍基凝胶膜将硅基板在稀硝酸中清洗,去除其表面的氧化层,随后将步骤1制备好的溶胶利用浸渍提拉法在硅基板上制备一层氧化镍基凝胶膜;步骤3.氧化镍基凝胶膜微细图形的制备a.特殊图形的微细图形的制备若微细图形为特殊预设图形,则将步骤2制备的氧化镍基凝胶膜干燥5‑10分钟,然后在氧化镍基凝胶膜上固定掩模板,之后再以紫外灯为曝光光源,将固定了掩模板的氧化镍基凝胶膜辐照10‑15分钟,随后在溶洗剂中溶洗,即可获得氧化镍基凝胶膜的微细图形;b.光栅图形的制备若微细图形为光栅图形,将步骤2制备的氧化镍基凝胶膜用氪离子激光器进行照射12‑18分钟,随后在乙醇中溶洗1分钟,得到光栅图形,即氧化镍基凝胶膜的微细图形。
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