激光二极管装置

摘要

一激光二极管装置，包括：包含铝Al的n型覆层；包含铟In、镓Ga和氮N的有源层；设置于衬底和n型覆层之间的共掺杂层。该共掺杂层也包含镓Ga和氮N，并且被共掺杂作为施主工作的杂质的硅Si和锗Ge之一和作为受主工作的杂质的镁Mg和锌Zn之一。

主权项

一种激光二极管装置，包括：由GaN构成的衬底；设置于所述衬底的一表面侧上的n型覆层和p型覆层，由包含至少3B族元素中的镓和至少5B族元素中的氮构成的氮化物III‑V族化合物半导体构成，并且至少部分包含铝Al；设置于所述n型覆层和所述p型覆层之间的有源层，由包含至少3B族元素中的铟和镓和至少5B族元素中的氮的氮化物III‑V族化合物半导体构成；和设置于所述衬底和所述n型覆层之间的共掺杂层，由包含至少3B族元素中的镓和至少5B族元素中的氮的III‑V族化合物半导体构成，并且被共掺杂作为施主工作的杂质的硅和锗之一和作为受主工作的杂质的镁和锌之一，其中所述共掺杂层的载流子浓度是从1.0×1018cm‑3至1.0×1019cm‑3，都包括两端点，以及其中所述共掺杂层被设置得相邻于所述n型覆层，并且具有比所述n型覆层的禁带窄的禁带。