静电卡盘之湿式清洁法

摘要

本发明系关于一种非破坏性及简单用于清洁一新或旧的静电卡盘的方法，其包含湿式清洁步骤，其系移除沈积在该静电卡盘表面上之污染物。

主权项

一种清洁可用于一半导体基板上一介电层之电浆蚀刻之静电卡盘之方法，该卡盘包括在该蚀刻过程中其上支撑有该半导体基板之一陶瓷表面，该方法包括步骤：a)用异丙醇接触该卡盘之至少该陶瓷表面；b)用一包含氢氟酸及硝酸混合物之稀酸性溶液及/或一包含盐酸及过氧化氢混合物之稀酸性溶液接触该卡盘之至少该陶瓷表面；c)用包含过氧化氢及氢氧化铵之硷性溶液接触该卡盘之至少该陶瓷表面；且d)使该卡盘接受超音波清洁；其中将污染物自该卡盘之该陶瓷表面移除。如请求项1之方法，其中该等污染物系选自由金属杂质、有机杂质、氟化物杂质、电极杂质、矽微粒、表面微粒及其组合所组成之群。如请求项2之方法，其中该卡盘系一旧卡盘，该旧卡盘先前用于在一半导体基板上一介电层之电浆蚀刻的过程中支撑该半导体基板，该旧卡盘含有选自由氟化铝、氟化钛及其组合所组成之群之氟化物杂质，该清洁进一步包含用氢氧化四甲基铵接触该卡盘之该陶瓷表面以移除氟化物杂质。如请求项2之方法，其中该卡盘系一新卡盘或一先前用于在一半导体基板上一介电层之电浆蚀刻过程中支撑该半导体基板的旧卡盘，该旧卡盘含有有机杂质，该清洁用异丙醇及/或该硷性溶液移除有机杂质。如请求项2之方法，其中该卡盘系一新卡盘，该新卡盘含有选自由铁、铬、镍、钼、钒及其组合所组成之群的金属杂质，该清洁用硷性溶液及/或稀酸性溶液移除金属杂质。如请求项2之方法，其中该卡盘系一先前用于在一半导体基板上一介电层之电浆蚀刻过程中支撑该半导体基板的旧卡盘，该旧卡盘含有包括氟化钛之氟化物杂质，该清洁用硷性溶液移除氟化钛。如请求项2之方法，其中该卡盘系一先前用于在一半导体基板上一介电层之电浆蚀刻过程中支撑该半导体基板的旧卡盘，该旧卡盘含有选自由Si、SiO2及其组合所组成之群的矽微粒，该清洁用稀酸性溶液移除矽微粒。如请求项7之方法，其中该稀酸性溶液包含氢氟酸及硝酸混合物，该清洁用该氢氟酸移除矽微粒。如请求项2之方法，其中该卡盘系一新卡盘，该新卡盘含有：电极杂质，其系选自由钨、磷及其组合所组成之群；及金属杂质，其系选自由铁、铬、镍、钼、钒及其组合所组成之群；该清洁用稀酸性溶液移除电极及金属杂质。如请求项9之方法，其中该稀酸性溶液包含氢氟酸及硝酸混合物，该清洁用该硝酸移除电极及金属杂质。如请求项9之方法，其中该稀酸性溶液包括盐酸及过氧化氢混合物，该清洁用该盐酸及过氧化氢混合物移除电极及金属杂质。如请求项2之方法，其中该超音波清洁系自该陶瓷表面移除表面微粒且移除滞留在顶针孔及该卡盘中其它通道内的微粒。如请求项1之方法，其进一步包含藉由以遮蔽材料及/或化学稳定带覆盖电接触及结合材料来保护该卡盘上之电接触及暴露之结合材料。如请求项1之方法，其中该清洁包含在该超音波清洁过程中，将该卡盘浸入异丙醇、硷性溶液及/或水中。如请求项1之方法，其中该卡盘系一先前用于在一半导体基板上一介电层之电浆蚀刻过程中支撑该半导体基板的旧卡盘，该旧卡盘及该清洁包含用一洗涤垫清洁该陶瓷表面。如请求项15之方法，其中该洗涤垫移除在该旧卡盘上之聚合物堆积。如请求项1之方法，其进一步包含在该卡盘清洁前及/或清洁后，在一电浆蚀刻室中测试该卡盘之性能。如请求项1之方法，其进一步包含在该卡盘清洁前及/或清洁后，分析该陶瓷表面以决定在该陶瓷表面上是否有污染物。如请求项1之方法，其包含在用该稀酸性溶液及/或氢氧化四甲基铵擦拭该陶瓷表面时，以该陶瓷表面向下，将该卡盘支撑在一固定装置中。如请求项1之方法，其包含用一包含氢氟酸及硝酸混合物之稀酸性溶液及一包含盐酸及过氧化氢混合物之稀酸性溶液接触至少该卡盘之该陶瓷表面。如请求项1之方法，其中b)步骤接续a)步骤，c)步骤接续b)步骤，且d)步骤接续c)步骤。一种静电卡盘，其系根据如请求项1之方法清洁。