发明名称 Ag/ITO/氧化锌基复合透明电极的发光二极管及其制备方法
摘要 本发明涉及一种Ag/ITO/氧化锌基复合透明电极发光二极管及其制作工艺。本发光二极管包括:在蓝宝石衬底上依次有缓冲层、本征层、n型氮化镓、量子阱、p型氮化镓和Ag/ITO/氧化锌基复合电流扩展层、并有n型金属电极连接n型氮化镓,p型金属电极连接Ag/ITO/氧化锌复合透明电流扩展层。其制作方法是:缓冲层、本征层、n型氮化镓、量子阱、p型氮化镓是在MOCVD中依次生长完毕;Ag/ITO/氧化锌复合透明电流扩展层分别依次是利用真空蒸镀的方法将几纳米厚的Ag薄膜蒸镀到p型GaN表面,再用电子束蒸镀的方法将ITO透明薄膜蒸镀在Ag薄膜表面,再利用磁控溅射的方法将氧化锌透明薄膜溅射在ITO薄膜表面,形成Ag/ITO/氧化锌复合透明电流扩展层;利用干法刻蚀将n型氮化镓暴露出来,退火处理后利用热蒸发或电子束蒸发等薄膜沉积方法生长金属电极。Ag/ITO/氧化锌复合透明电极极大地改善了p型氮化镓与透明电极层之间的欧姆接触,提高了LED芯片的光提取效率和可靠性。
申请公布号 CN102169944B 申请公布日期 2012.11.07
申请号 CN201110084321.0 申请日期 2011.04.06
申请人 上海大学 发明人 张建华;王万晶;李喜峰
分类号 H01L33/42(2010.01)I;H01L33/38(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I 主分类号 H01L33/42(2010.01)I
代理机构 上海上大专利事务所(普通合伙) 31205 代理人 顾勇华
主权项 一种Ag/ITO/氧化锌基复合透明电极的发光二极管,包括:蓝宝石衬底(1)、缓冲层(2)、本征层(3)、n型氮化镓(4)、量子阱(5)、p型氮化镓(6)、Ag/ITO/氧化锌基透明电流扩展层(7)、n型金属电极(8)连接n型氮化镓(4)、p型金属电极(9)连接Ag/ITO/氧化锌基透明电流扩展层(7),其中缓冲层(2)、本征层(3)、n型氮化镓(4)、量子阱(5)、p型氮化镓(6)是在MOCVD中依次生长完毕;其特征在于所述的Ag/ITO/氧化锌基透明电流扩展层(7)的制备方法是依次是利用真空蒸镀的方法在p型氮化镓表面蒸镀一层Ag纳米层,再利用电子束蒸镀的方法在Ag纳米层上蒸镀ITO透明薄膜;最后利用磁控溅射的方法将氧化锌透明薄膜溅射在ITO薄膜表面,形成Ag/ITO/氧化锌复合透明电极,其中ITO薄膜的材质是是Sn2O3:In2O3=1:9的铟锡氧化物,氧化锌基透明导电薄膜的材质是ZnO:Ga或ZnO:Al或ZnO:In;所述的n型金属电极(8)是金属复合电极,材质是Ti/Al或Cr/Pt/Au;所述的p型金属电极(9)是金属复合电极,材质是Ni/Au或Cr/Pt/Au。
地址 200444 上海市宝山区上大路99号