一种形成低负载效应薄膜的方法

摘要

本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种形成低负载效应薄膜的方法。本发明提出一种形成低负载效应薄膜的方法，通过采用等离子体增强化学气相沉积工艺沉积介质薄膜，之后在同一个腔室内，采用与沉积工艺相同的压力、射频能量和气流等工艺条件对沉积的介质薄膜进行刻蚀，使之前生长较快的地方的薄膜被刻蚀较多，生长较慢的地方被刻蚀较少，从而使两者达到平衡，不仅减小甚至消除负载效应，还拓展了PECVD的用途，进而降低购置新机台的成本。

主权项

一种形成低负载效应薄膜的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1：在一反应腔室内，于一具有图形化的半导体结构上，采用等离子体增强化学气相沉积工艺沉积介质薄膜覆盖所述半导体结构的上表面；步骤S2：采用刻蚀工艺部分去除所述介质薄膜，以形成低负载效应的剩余介质薄膜；其中，所述介质薄膜为氧化物或氮化物薄膜。