发明名称 可用于KDP晶体抛光加工的确定性局部物理潮解加工装置及其抛光加工方法
摘要 本发明公开了一种可用于KDP晶体抛光加工的确定性局部物理潮解加工装置,包括工件装配台和设有喷嘴的运动平台,喷嘴通过液体输送管道与储液罐相连通,液体输送管道上设有可将储液罐中的反应液输送至喷嘴处的蠕动泵,反应液中含有潮解反应剂和有机溶剂。该加工装置对KDP晶体进行抛光加工的方法包括以下步骤:首先在工件装配台上固定待抛光加工的KDP晶体;以纯水作为潮解反应剂,在蠕动泵的作用下将其输送到喷嘴处,将KDP晶体潮解去除限制在喷嘴接触的区域内,以乙醇挥发得到的温度梯度来消除KDP晶体表面的反应剂残留,同时通过真空发生器实现的负压使反应剂从喷嘴处回收。本发明具有高精度、高效率、无损伤、低成本等优点。
申请公布号 CN102765044A 申请公布日期 2012.11.07
申请号 CN201210266674.7 申请日期 2012.07.30
申请人 中国人民解放军国防科学技术大学 发明人 戴一帆;彭小强;关朝亮;沈新民;彭文强;李圣怡
分类号 B24B37/00(2012.01)I;B24B37/34(2012.01)I 主分类号 B24B37/00(2012.01)I
代理机构 湖南兆弘专利事务所 43008 代理人 赵洪;杨斌
主权项 一种可用于KDP晶体抛光加工的确定性局部物理潮解加工装置,所述加工装置包括固定待抛光工件的工件装配台和设有喷嘴的运动平台,所述喷嘴通过液体输送管道与装填有反应液的储液罐相连通,所述液体输送管道上设有可将储液罐中的反应液输送至喷嘴处的蠕动泵,所述反应液中含有用于潮解待抛光工件的潮解反应剂和可选择性添加的用于调节潮解反应剂比例的有机溶剂。
地址 410073 湖南省长沙市砚瓦池正街47号中国人民解放军国防科学技术大学机电工程与自动化学院