双栅极结构沟槽型DMOS晶体管制造方法

摘要

提出了一种沟槽型DMOS晶体管单元，它是在第一种导电类型的衬底上形成的。具有第二种导电类型的体区位于衬底上。至少一个沟槽通过体区和衬底延伸。一个绝缘层镶衬沟槽。该绝缘层包括在一个界面上相互接触的第一和第二个部分。绝缘层的第一部分的层面的厚度比第二部分大。界面的深度位于体区下边界之上。在沟槽里形成一个导电电极，使它覆盖在绝缘层之上。在与沟槽相邻的体区里形成第一种导电类型的源区。

主权项

一种沟槽型DMOS晶体管单元，包括：第一种导电类型的衬底；在所述衬底上的体区，所述体区具有第二种导电类型；通过所述体区和所述衬底延伸的至少一个沟槽；镶衬所述沟槽的绝缘层，所述绝缘层包括沿所述沟槽每个侧面的侧面部分和沿所述沟槽底部部分的底部部分，所述绝缘层的每个侧面部分具有在界面上相互接触的第一和第二部分，所述绝缘层的从所述沟槽的所述底部部分垂直向上延伸到所述绝缘层的所述第二部分的整个所述第一部分的厚度大于所述绝缘层的从所述绝缘层的所述第一部分的顶部垂直向上延伸到所述沟槽的顶部的整个所述第二部分的厚度，并且所述界面的深度位于所述体区下边界之上；覆盖所述绝缘层的所述沟槽中的导电电极；以及和沟槽相邻的所述体区里的所述第一种导电类型的源区，其中整个所述第一部分的厚度和整个所述第二部分的厚度包括在所述沟槽的侧壁和所述沟槽中的导电电极之间的水平距离。