| 发明名称 | 脊型半导体激光器以及脊型半导体激光器的制造方法 | ||
| 摘要 | 脊型半导体激光器301是在化合物AlGaInAs的活性层14的一侧依次层积化合物AlInAs的载体终止层16、化合物AlGaInAs的包层17、化合物InGaAsP的蚀刻终止层18，在蚀刻终止层18的包层17侧的相反侧设置脊波导40的半导体激光器，该脊波导40包含在化合物InP的层中由化合物InGaAsP形成的衍射光栅20’。 | ||
| 申请公布号 | CN102771022A | 申请公布日期 | 2012.11.07 |
| 申请号 | CN201180010867.X | 申请日期 | 2011.01.27 |
| 申请人 | NTT电子股份有限公司 | 发明人 | 幸前笃郎;大手康义;浅冈淳一;平位谦司;横山弘 |
| 分类号 | H01S5/12(2006.01)I | 主分类号 | H01S5/12(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 杨勇 |
| 主权项 | 脊型半导体激光器，其在AlGaInAs活性层的一侧依次层积有AlInAs层、AlGaInAs层、第一InGaAsP层，在所述InGaAsP层的所述AlGaInAs层侧的相反侧设置有脊波导，该脊波导包含第一InP层、由第二InGaAsP层形成的衍射光栅、第二InP层。 | ||
| 地址 | 日本神奈川 | ||