发明名称 一种常压固相烧结微孔碳化硅陶瓷及其制备方法
摘要 本发明提供了一种固相烧结微孔碳化硅陶瓷及其制备方法。碳化硅陶瓷的制备方法包括如下步骤:1)以SiC粉体、B4C粉体、球形PMMA和酚醛树脂为原料;2)将所述原料配成固含量为40-45wt%的浆料,进行球磨混合;3)将球磨混合后的浆料烘干,再研磨粉碎后过筛,将得到的粉体干压成型;4)将成型后的样品真空脱粘后,在常压惰性气氛条件下烧结,烧结温度为1900-2300℃,保温时间为1-2h。所制得的陶瓷材料不但具有良好的摩擦性能,并且具有较高的密度及抗弯强度。
申请公布号 CN102765940A 申请公布日期 2012.11.07
申请号 CN201110114635.0 申请日期 2011.05.04
申请人 中国科学院上海硅酸盐研究所 发明人 陈健;黄政仁;刘学建;高剑琴
分类号 C04B35/565(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I;C04B35/64(2006.01)I;C04B38/00(2006.01)I 主分类号 C04B35/565(2006.01)I
代理机构 上海光华专利事务所 31219 代理人 许亦琳;余明伟
主权项 一种固相烧结微孔碳化硅陶瓷的制备方法,包括如下步骤:1)以SiC粉体、B4C粉体、球形PMMA和酚醛树脂为原料,其中,以SiC粉体和B4C粉体的总重量为基准计,B4C占0.1~1%;球形PMMA为SiC粉体和B4C粉体总重量的0.5~5.5%,酚醛树脂为SiC粉体和B4C粉体总重量的10‑30%;2)将所述原料配成固含量为40‑45wt%的浆料,进行球磨混合;3)将球磨混合后的浆料烘干,再研磨粉碎后过筛,将得到的粉体干压成型;4)将成型后的样品真空脱粘后,在常压惰性气氛条件下烧结,烧结温度为1900‑2300℃,保温时间为1‑2h。
地址 200050 上海市长宁区定西路1295号