发明名称 一种聚合物太阳能电池光电活性层的处理方法
摘要 本发明公开了一种聚合物太阳能电池光电活性层的处理方法。该方法,包括如下步骤:将光电活性层暴露于氯仿和/或邻二氯苯的蒸汽中,保持0.1-20小时。本发明的处理方法改善了光电活性层的结晶程度,并在光电活性层中形成P3HT和C60的三维互穿网络结构,改善了光活性层的光吸收性能和载流子传输性能,能够有效提高太阳能电池的光电转化效率。另外,本发明方法工艺简单,活性层的结晶程度和形貌可以通过溶剂蒸汽的种类和处理时间来控制,具有低成本、高效率、大面积制备的优势,适合于大规模工业化生产。
申请公布号 CN101901872B 申请公布日期 2012.11.07
申请号 CN200910084684.7 申请日期 2009.05.25
申请人 中国科学院化学研究所 发明人 刘瑞刚;刘伟丽;王文;黄勇
分类号 H01L51/48(2006.01)I;H01L51/44(2006.01)I;H01L51/46(2006.01)I;H01L51/42(2006.01)I 主分类号 H01L51/48(2006.01)I
代理机构 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 代理人 关畅;任凤华
主权项 一种处理聚合物太阳能电池的光电活性层的方法,包括如下步骤1)或2):1)将聚合物太阳能电池的光电活性层暴露在氯仿的饱和蒸汽里且不与液态氯仿溶剂接触,保持暴露时间为0.5‑20小时;2)将聚合物太阳能电池的光电活性层暴露在邻二氯苯的饱和蒸汽里且不与液态邻二氯苯溶剂接触,保持暴露时间1‑20小时;其中,所述光电活性层由质量比为1∶(0.6‑1.2)的3‑己基噻吩的聚合物和C60单质组成。
地址 100080 北京市海淀区中关村北一街2号
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