无定形Ge/Te的沉积方法

摘要

本发明涉及有效地利用锗、碲、和/或锑前体来形成含有锗、碲和/或锑的膜，诸如GeTe、GST、以及热电的含锗膜。还描述了用于使用这些前体以形成无定形膜的方法。进一步描述了[{nBuC(iPrN)2}2Ge]或丁基脒基锗的使用，以形成GeTe平滑无定形膜，用于相位变换存储器应用。

主权项

一种用于在衬底上沉积平滑的无定形碲化锑锗膜的气相沉积方法，包括蒸发包括[{nBuC(iPrN)2}2Ge]的四氨基锗前体以形成含锗前体蒸气，蒸发有机锑前体以形成含锑前体蒸气，以及蒸发二烷基碲前体或二氨基碲前体以形成含碲前体蒸气，使所述含锗前体蒸气、含锑前体蒸气以及含碲前体蒸气与衬底在形成所述平滑的无定形碲化锑锗膜的条件下接触，并且在所述衬底上沉积所述平滑的无定形碲化锑锗膜。