| 发明名称 | 应用光刻胶剥离工艺保护光刻对准标记的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种应用光刻胶剥离工艺保护光刻对准标记的方法，该方法包括以下步骤：在待覆盖厚金属层的介质层表面涂光刻胶，使所述介质层上的光刻对准标记所在区域被光刻胶完全覆盖；进行曝光、显影处理，以保留所述光刻对准标记所在区域上覆盖的光刻胶，而将其他部分覆盖的光刻胶去除；积淀金属层；剥离所述光刻对准标记所在区域上覆盖的光刻胶及该光刻胶上覆盖的金属层。采用本发明，可以在覆盖金属层过程中，保持前层光刻对准标记的形貌，从而提高光刻过程中的对准精度。 | ||
| 申请公布号 | CN102054667B | 申请公布日期 | 2012.11.07 |
| 申请号 | CN200910235919.8 | 申请日期 | 2009.10.29 |
| 申请人 | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 | 发明人 | 马万里;赵文魁 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I;H01L23/544(2006.01)I;G03F7/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人 | 郭润湘 |
| 主权项 | 一种应用光刻胶剥离工艺保护光刻对准标记的方法，其特征在于，包括以下步骤：在待覆盖金属层的介质层表面涂光刻胶，使所述介质层上的光刻对准标记所在区域被光刻胶覆盖，并且光刻胶层的厚度大于待积淀的金属层的厚度；通过在有机溶剂中浸泡，使所述光刻对准标记所在区域与其他区域交界处的边缘在曝光显影后能够形成倒角悬垂；进行曝光、显影处理，以保留所述光刻对准标记所在区域上覆盖的光刻胶，而将其他部分覆盖的光刻胶去除；积淀金属层；剥离所述光刻对准标记所在区域上覆盖的光刻胶及该光刻胶上覆盖的金属层。 | ||
| 地址 | 100871 北京市海淀区成府路298号方正大厦9层 | ||