大功率整晶圆IGBT陶瓷封装外壳

摘要

本发明涉及一种大功率整晶圆IGBT陶瓷封装外壳，其特征在于它包括陶瓷底座（1）、过渡电极（2）和上盖（3），所述上盖（3）盖置于陶瓷底座（1）上，所述过渡电极（2）置于阳极电极（1-4）上，在所述过渡电极（2）上设置有门极针定位孔（2-1）、门极环定位槽（2-2）和芯片定位孔（2-3）。本发明不需要雕刻矩形电极群，只需在过渡电极上加工简单的定位孔和定位槽，大幅提高了加工效率和成品率，并且过渡电极不需与瓷环相焊接，因此没有焊接应力，与矩形电极群相比，接触面积增加了20%左右，从而提高了电极的导电、导热性能。

主权项

一种大功率整晶圆IGBT陶瓷封装外壳，其特征在于它包括陶瓷底座（1）、过渡电极（2）和上盖（3），所述陶瓷底座（1）包括自上而下叠合同心焊接的阳极法兰（1‑1）、瓷环（1‑2）和阳极密封圈（1‑3），在所述阳极密封圈（1‑3）内同心焊接有阳极电极（1‑4），在所述瓷环（1‑2）的壳壁上穿接有门极引线管（1‑5），在所述门极引线管（1‑5）的内、外端分别焊接有门极内插片（1‑7）和门极外插片（1‑6），所述上盖（3）盖置于陶瓷底座（1）上，上盖（3）包含有阴极电极（3‑1）和阴极法兰（3‑2），所述阴极法兰（3‑2）同心焊接在阴极电极（3‑1）的外缘上；所述过渡电极（2）置于阳极电极（1‑4）上，在所述过渡电极（2）上设置有门极针定位孔（2‑1）、门极环定位槽（2‑2）和芯片定位孔（2‑3）。