非易失性存储器件

摘要

本发明提供一种非易失性存储器件，包括：第一沟道，所述第一沟道包括自衬底垂直地延伸的一对第一柱体和位于所述一对第一柱体之下并且将一对第一柱体耦接的第一耦接部分；第二沟道，所述第二沟道与第一沟道相邻，包括自衬底垂直地延伸的一对第二柱体和位于一对第二柱体之下并且将一对第二柱体耦接的第二耦接部分；多个栅电极层和层间电介质层，所述多个栅电极层和层间电介质层沿着第一柱体和第二柱体交替地层叠；以及第一沟槽和第二沟槽，所述第一沟槽和第二沟槽分别将一对第一柱体之间和一对第二柱体之间的多个栅电极层隔离。

主权项

一种非易失性存储器件，包括：第一沟道，所述第一沟道包括自衬底垂直地延伸的一对第一柱体和位于所述一对第一柱体之下并将所述一对第一柱体耦接的第一耦接部分；第二沟道，所述第二沟道与所述第一沟道相邻，并且包括自所述衬底垂直地延伸的一对第二柱体和位于所述一对第二柱体之下并将所述一对第二柱体耦接的第二耦接部分；多个栅电极层和层间电介质层，所述多个栅电极层和层间电介质层沿着所述第一柱体和所述第二柱体交替地层叠，其中，最上部的栅电极层包括用于选择晶体管的栅电极层，而除了所述最上部的栅电极层之外的栅电极层包括用于存储器单元的栅电极层；以及第一沟槽和第二沟槽，所述第一沟槽和所述第二沟槽分别将形成在所述一对第一柱体之间和所述一对第二柱体之间的所述多个栅电极层隔离，其中，所述第一沟道的选择晶体管与所述第二沟道的选择晶体管共用栅电极层。