一种肖特基二极管及其制备方法

摘要

本发明涉及一种肖特基二极管及其制备方法。其包括第一导电类型衬底、第一导电类型外延层；第一导电类型外延层上表面部分区域被刻蚀，成凹槽形，刻蚀深度大约0.01微米到15微米。一个第二导电类型护圈，向第一导电类型外延层中延伸。在外延层上形成介电材料，并且介电材料的一部分被去除，以使护圈的一部分和外延层位于护圈内的一部分曝露出来。在外延层上表面曝露出来部分，即凹槽侧壁及底部上，形成导电材料，并且在第一导电类型衬底的底部形成与衬底相接触的导电材料。该发明的肖特基二极管，由于工艺制造形成该器件只需2层掩膜版，相比传统肖特基二极管制造技术的3层掩膜板，减少了掩模板数量，因此降低了制造成本，同时缩短了生产周期。并且，对于低压肖特基二极管，能有效降低其正向导通压降、导通电阻。

主权项

一种肖特基二极管，包括：第一导电类型半导体材料衬底及其表面的第一导电类型半导体材料漂移层；所述漂移层其表面的部分区域被形成凹槽；形成于所述漂移层中的第二导电类型半导体材料护圈，护圈位于凹槽的侧壁附近的所述漂移层中；一种硅化物材料，形成于凹槽表面区域；一种介电材料，覆盖于所述漂移层表面；第一金属层，覆盖于所述硅化物材料及介电材料表面；第二金属层，覆盖于所述第一导电类型半导体材料衬底底部表面。