半导体装置

摘要

本发明提供一种半导体装置，其所具有的起动电路具备出色的特性，且适于IC化。形成有在N型外延层(12)形成，并规定漏极区域(121)的P型元件分离区域(13)。在漏极区域(121)内形成基体区域(15)，在基体区域(15)内形成N型源极区域(16)。在漏极区域(121)与源极区域(16)之间的沟道区域上配置栅电极(20)，形成LDMOS。经由漏极区域(121)、作为栅极发挥功能的P型分离区域(13)和P型元件分离区域(13)基于对漏极区域(121)施加的电压而被反向偏置、使耗尽层延伸的沟道区域，配置JFET的源极引出层(23)，形成JFET。

主权项

一种半导体装置，其特征在于，具备：第一导电型层(11)；形成在所述第一导电型层(11)上的第二导电型层(12)；第一导电型元件分离区域(13)，其从所述第二导电型层(12)的表面区域到所述第一导电型层(11)，规定作为第二导电型漏极区域(121)发挥作用的元件区域；形成于所述元件区域的第一导电型第一区域(15)；形成于该第一导电型第一区域(15)的第二导电型第一源极区域(16)；栅极绝缘膜(19)，其形成在场绝缘膜(18)与所述第一源极区域(16)之间的沟道区域上，该场绝缘膜(18)按照对在所述第二导电型漏极区域(121)的中央部的表面区域形成的漏极引出区域(14)进行包围的方式形成在所述第二导电型漏极区域(121)上；和第一栅电极(20)，其形成在所述场绝缘膜(18)的端部之上与栅极绝缘膜(19)之上；所述第一导电型元件分离区域(13)具有：在一部分形成开口部(133)且规定所述第二导电型漏极区域(121)的环路状部(131)；和对通过所述开口部(133)与所述第二导电型漏极区域(121)连接的第二导电型延伸区域(122)进行规定的部分(132)；还具备形成在所述第二导电型延伸区域(122)的所述第二导电型第二源极区域(23)。