半导体存储器装置

摘要

一种半导体存储器装置包含第一杂质类型的基板、于基板中的不同于第一杂质类型的第二杂质类型的第一阱区域、于基板中的第一杂质类型的第二阱区域、于基板上延伸于第一与第二阱区域上方的图案化的第一介电层、于图案化的第一介电层上的图案化的第一栅极构造、于图案化的第一栅极构造上的图案化的第二介电层以及于图案化的第二介电层上的图案化的第二栅极构造。图案化的第一栅极构造可包含朝第一方向延伸的第一区段以及朝垂直于第一区段的第二方向延伸的第二区段，其中第一与第二区段彼此相交成相交图案。图案化的第二栅极构造可包含朝第一方向延伸于图案化的第一栅极构造上方的第一区段及朝第二方向延伸于图案化的第一栅极构造上方的第二区段的至少一者。

主权项

一种半导体存储器装置，包含：一第一杂质类型的一基板；一第二杂质类型的一第一阱区域，位于该基板中，该第二杂质类型不同于该第一杂质类型；该第一杂质类型的一第二阱区域，位于该基板中；一图案化的第一介电层，位于该基板中且延伸于该第一与该第二阱区域的上方；一图案化的第一栅极构造，位于该图案化的第一介电层上，该图案化的第一栅极构造包含朝一第一方向延伸的一第一区段，以及朝垂直于该第一区段的一第二方向延伸的一第二区段，该第一区段与该第二区段彼此相交成一相交图案；一图案化的第二介电层，位于该图案化的第一栅极构造上；以及一图案化的第二栅极构造，位于该图案化的第二介电层上，该图案化的第二栅极构造包含朝该第一方向延伸于该图案化的第一栅极构造的该第一区段的上方该第一区段以及朝该第二方向延伸于该图案化的第一栅极构造的该第二区段的上方的该第二区段。