| 主权项 |
一种液晶面板，包括：一第一基板，具有复数次画素区，该第一基板包括：一第一基底；一开关元件阵列形成于该第一基底上，其中该开关元件阵列包括一第一开关元件位于一该次画素区中；一平坦层形成于该开关元件阵列上，具有一接触孔；以及一反射电极，设置于该平坦层上并藉由该接触孔与该第一开关元件电性连接；一第二基板，与该第一基板对向设置；一填充件，位于该第一基板以及该第二基板之间，并填满该接触孔，其中该填充件包括一第一区块位于该接触孔内，该第一区块的材质包括一有机材料；以及一液晶层，位于该第一基板以及该第二基板之间。如申请专利范围第1项所述之液晶面板，其中该次画素区具有一反射区以及一穿透区，该反射电极系位于该反射区中，该第一基板更包括：一穿透电极位于该平坦层上并位于穿透区中，与该反射电极电性连接。如申请专利范围第2项所述之液晶面板，其中该填充件包括：一第二区块，位于该第一区块上并与该第二基板接触，使得该第一区块以及该第二区块形成一间隙物。如申请专利范围第2项所述之液晶面板，其中该平坦层仅位于该反射区中而不位于该穿透区中，该平坦层之厚度约为该液晶层之厚度的45%至55%。如申请专利范围第2项所述之液晶面板，其中该第二基板包括一调整层，系与该填充件接触。如申请专利范围第5项所述之液晶面板，其中该调整层之厚度约为该液晶层之厚度的45%至55%。如申请专利范围第5项所述之液晶面板，其中该第二基板更包括一遮光层，大体位于该接触孔正上方。如申请专利范围第2项所述之液晶面板，其中该第二基板更包括一凸起(protrusion)，大体位于该穿透区正上方。如申请专利范围第2项所述之液晶面板，其中该第二基板更包括一凸起(protrusion)，大体位于该接触孔正上方。如申请专利范围第9项所述之液晶面板，其中该第二基板更包括一遮光层，大体位于该接触孔以及该凸起正上方。如申请专利范围第2项所述之液晶面板，其中该填充件之材质系包括一正型光阻材料，该平坦层材质系包括一负型光阻材料。如申请专利范围第2项所述之液晶面板，其中该填充件之材质系包括一负型光阻材料，该平坦层材质系包括一正型光阻材料。如申请专利范围第1项所述之液晶面板，其中该填充件包括：一第二区块，位于该第一区块上并与该第二基板接触。如申请专利范围第12项所述之液晶面板，其中该第二基板更包括一凸起(protrusion)，大体位于该接触孔正上方。如申请专利范围第14项所述之液晶面板，其中该第二基板更包括一遮光层，大体位于该接触孔以及该凸起正上方。如申请专利范围第12项所述之液晶面板，其中该第二基板更包括一遮光层，大体位于该接触孔正上方。如申请专利范围第12项所述之液晶面板，其中该第二基板包括复数凸起(protrusion)。如申请专利范围第1项所述之液晶面板，其中该填充件之材质系包括一正型光阻材料，该平坦层材质系包括一负型光阻材料。如申请专利范围第1项所述之液晶面板，其中该填充件之材质系包括一负型光阻材料，该平坦层材质系包括一正型光阻材料。如申请专利范围第1项所述之液晶面板，其中该第二基板系包括：一第二基底；一彩色滤光层，位于该第二基底上；一覆盖层(overcoat)，位于该彩色滤光层上；以及一共用电极，位于该绝缘层上。一种液晶面板之制造方法，包括：提供一第一基板，包括：形成一开关元件以及一储存电容于一第一基底上，其中该储存电容具有一上电极与该开关元件电性连接；形成一平坦层于该开关元件以及该储存电容上；图案化该平坦层使得该平坦层具有一接触孔以暴露出该上电极；形成一反射电极于该平坦层上并藉由该接触孔与该上电极电性连接；以及形成一填充层于该反射电极上并填满该接触孔，其中该填充层的材料包括有机材料；提供一第二基板；以及形成一液晶层于该第一基板以及该第二基板之间。如申请专利范围第21项所述之方法，其中该第一基板具有复数次画素区，该次画素区具有一反射区以及一穿透区，该反射电极系位于该反射区中，其中图案化该平坦层之步骤系包括去除位于穿透区中之部分该平坦层，位于该反射区中之该平坦层之厚度约为该液晶层之厚度的45%至55%。如申请专利范围第22项所述之方法，更包括形成一穿透电极于该穿透区上并与该反射电极电性连接。如申请专利范围第23项所述之方法，更包括图案化该填充层以形成一填充件，该填充件包括：一第一区块，位于该接触孔内；以及一第二区块，位于该第一区块上，该第二区块之厚度约等于该液晶层之厚度。如申请专利范围第23项所述之方法，更包括：图案化该填充层以形成一第一区块，位于该接触孔内；以及形成一第二区块于该第一区块上，该第二区块之厚度约等于该液晶层之厚度。如申请专利范围第21项所述之方法，其中提供该第二基板之步骤系包括：形成一共用电极于一第二基底上；以及形成一配向凸起物于该共用电极上。如申请专利范围第26项所述之方法，其中该第一基板具有复数次画素区，该次画素区具有一反射区以及一穿透区，该反射电极系位于该反射区中，其中于形成该共用电极于该第二基底上之步骤前，更包括：形成一覆盖层于该第二基底上；以及图案化该覆盖层以形成一调整层于该反射区上方，该调整层之厚度约为该液晶层之厚度的45%至55%。如申请专利范围第27项所述之方法，更包括图案化该填充层以形成一填充件，该填充件包括：一第一区块，位于该接触孔内；以及一第二区块，位于该第一区块上，该第二区块之厚度约等于该液晶层之厚度。如申请专利范围第27项所述之方法，更包括：图案化该填充层以形成一第一区块，位于该接触孔内；以及形成一第二区块于该第一区块上，该第二区块之厚度约等于该液晶层之厚度。如申请专利范围第26项所述之方法，更包括图案化该填充层以形成一填充件，该填充件包括：一第一区块，位于该接触孔内；以及一第二区块，位于该第一区块上，该第二区块之厚度约等于该液晶层之厚度。如申请专利范围第26项所述之方法，更包括：图案化该填充层以形成一第一区块，位于该接触孔内；以及形成一第二区块于该第一区块上，该第二区块之厚度约等于该液晶层之厚度。如申请专利范围第21项所述之方法，其中该填充层之材质系包括一正型光阻材料，该平坦层材质系包括一负型光阻材料。如申请专利范围第21项所述之方法，其中该填充层之材质系包括一负型光阻材料，该平坦层材质系包括一正型光阻材料。如申请专利范围第21项所述之方法，更包括图案化该填充层以形成一填充件，该填充件包括：一第一区块，位于该接触孔内；以及一第二区块，位于该第一区块上，该第二区块之厚度约等于该液晶层之厚度。如申请专利范围第21项所述之方法，更包括：图案化该填充层以形成一第一区块，位于该接触孔内；以及形成一第二区块于该第一区块上，该第二区块之厚度约等于该液晶层之厚度。 |
