晶圆切割之支撑物

摘要

一种于切割晶圆期间或是之后用以支撑一晶圆晶粒的支撑基板或吸盘。该支撑基板包含一岛状件阵列，其之上表面系凸出于支撑基板的一主表面上方供位在晶圆上或自晶圆切割之晶粒阵列对准。岛状件间之间隔并不小于用以切割晶圆的雷射之一切口或是一刀片的宽度。就雷射切割作业而言，岛状件之上表面系高于主表面一段足够的高度，用以切割晶圆的雷射光束之能量系于岛状件间的通道中消失，而实质上未加工支撑基板。

主权项

一种支撑基板，系于以雷射光束切割晶圆期间或是之后用以支撑该晶圆之晶粒者，该支撑基板包含一岛状件阵列，该岛状件阵列之上表面系凸出于该支撑基板的一主表面上方俾供该晶圆上或自该晶圆切割之晶粒阵列对准，其特征在于：该等岛状件间之间隔不小于用以切割该晶圆的雷射光束之切口；以及在于：该等岛状件之上表面系位于该主表面上方一足够高度，该高度系大于一自该雷射光束之焦点或收敛平面至一深度的距离，在该深度该雷射光束的强度未足以加工该支撑基板，使得用以切割该晶圆的雷射光束之能量在该等岛状件间的通道基底中消散，而未实质加工该支撑基板。如申请专利范围第1项之支撑基板，其中位于该主表面上方的该等岛状件之上表面的高度系大于该雷射光束之焦点深度。如申请专利范围第1项之支撑基板，其中该支撑基板系为一真空吸盘，致使该等晶粒可藉由一局部真空固持在该支撑基板上。如申请专利范围第2项之支撑基板，其中该支撑基板系为一真空吸盘，致使该等晶粒可藉由一局部真空固持在该支撑基板上。如申请专利范围第1、2、3或4项之支撑基板，其中该等晶粒可在切割作业后，藉由该局部真空固持在该支撑基板上，供用于后续的加工作业。如申请专利范围第1、2、3或4项之支撑基板，其中该支撑基板系配置成用以支撑一半导体晶圆，该晶圆之一作动面系朝向该支撑基板。如申请专利范围第5项之支撑基板，其中该支撑基板系配置成用以支撑一半导体晶圆，该晶圆之一作动面系朝向该支撑基板。一种切割一晶圆的方法，其包含以下步骤：a.提供一雷射光束；b.提供包含有一岛状件阵列之一支撑基板，该等岛状件之上表面系凸出于该支撑基板之一主表面上方用以与该晶圆上的晶粒阵列对准，其中该等岛状件的高度系大于一自该雷射光束之焦点或收敛平面至一深度的距离，在该深度该雷射光束的强度未足以加工该支撑基板；c.将该晶圆安装在该支撑基板上并使该晶粒阵列与该岛状件阵列对准；以及d.将该等晶粒支撑在各个该等岛状件上，同时以雷射光束将该等晶粒自该晶圆切割，使得，该雷射光束之能量在穿过该晶圆之后，消散在该等岛状件间的通道基底中而未实质加工该支撑基板。如申请专利范围第8项之方法，其中该提供一支撑基板的步骤包含提供一真空吸盘，并且将该晶圆安装在该支撑基板上的步骤包含藉由一局部真空将该晶圆固持在该支撑基板上。如申请专利范围第9项之方法，其中在切割作业之后，该经切割的晶粒系藉由该局部真空而固持在该支撑基板上供进一步地加工。如申请专利范围第10项之方法，其中该经切割的晶粒系固持在该支撑基板上供冲洗、湿蚀刻、乾蚀刻、氟化氙蚀刻、晶粒测试及晶粒检出之至少其中之一作业。如申请专利范围第8、9、10或11项之方法，其中该晶圆系以一作动面朝向该支撑基板而安装在该支撑基板上并且该晶圆系自与作动面相对的一背侧被切割。