发明名称 基板处理方法及记录媒体
摘要 一种基板处理方法,系为藉由基板处理装置之基板处理方法,该基板处理装置具有:内部支撑被处理基板之处理容器、包含将第一处理气体供给至该处理容器之流量调整手段之第一气体供给手段、将第二处理气体供给至该处理容器之第二气体供给手段,该基板处理方法系设置有以下工程:反覆操作将第一处理气体藉由该流量调整手段而控制第一流量而供给至该第一方向之第一工程、自该处理容器而排出该第一处理气体之第二工程、供给该第二处理气体至该处理容器之第三工程、自该处理容器而将该第二处理气体排出之第四工程,而其特征为在第一个第一工程以及该第一个第一工程之接着被实施之第二个第一工程之间设置有处理气体流量安定工程。
申请公布号 TWI375993 申请公布日期 2012.11.01
申请号 TW095109668 申请日期 2006.03.21
申请人 东京威力科创股份有限公司 发明人 竹山环;二村宗久
分类号 H01L21/31 主分类号 H01L21/31
代理机构 代理人 林志刚 台北市中山区南京东路2段125号7楼
主权项 一种基板处理方法,系为藉由基板处理装置之基板处理方法,该基板处理装置具有:内部支持被处理基板之处理容器;包含用为供给第一处理气体至该处理容器之流量调整手段之第一气体供给手段;设置在该处理容器以及该气体供给手段之间,将该第一处理气体被供给之供给方向在供给至该处理容器之第一方向、或是在供给至使该第一处理气体被排气之气体管线之第二方向之任一个而切换之切换手段;及将该第二处理气体供给至该处理容器之第二气体供给手段,其特征为:该基板处理方法系设置有:第一工程,系藉由该流量调整手段而将该第一处理气体控制为第一流量而在该第一方向供给;第二工程,自该处理容器排出该第一处理气体;第三工程,将该第二处理气体供给至该处理容器;及第四工程,自该处理容器将该第二处理气体排出,而反覆之该第一至第四工程;以及在一次的该第一工程以及该次第一工程接着被实施之下一次第一工程之间,设置有处理气体流量安定工程,该处理气体流量安定工程系具有:在一次的第一工程之后,藉由该气体切换手段,而将该供给方向切换至该第二方向之工程(A);在该工程(A)之后,藉由该流量调整手段而使该第一流量减少至第二流量之工程(B);在该工程(B)之后,藉由该流量调整手段,使该第二流量增大至该第一流量之工程(C)。如申请专利范围第1项之基板处理方法,其中该第一处理气体系包含经气化液体原料之气化气体,该第一气体供给手段系具有气化该液体原料之气化器,且被供给至该气化器之该液体原料之流量系藉由该流量调整手段而被控制。如申请专利范围第2项之基板处理方法,其中对应于该第二流量之该液体原料流量系为该流量调整手段之最大设定流量之5%以上。如申请专利范围第3项之基板处理方法,其中对应于该第二流量之该液体原料流量系为该流量调整手段之最大设定流量之10%以上。如申请专利范围第1项之基板处理方法,其中该气体排气管线系连接于设置于该处理容器之将该处理容器予以排气之处理容器排气管线。如申请专利范围第1项之基板处理方法,其中在该第三工程被开始前,系使该工程(B)被实施。如申请专利范围第6项之基板处理方法,其中,系在该第三工程终了起而实施该工程(C)。如申请专利范围第2项之基板处理方法,其中该液体原料系包含金属元素,该第二处理气体系包含用以氧化该金属元素之氧化气体。如申请专利范围第1项之基板处理方法,其中该第二工程系包含将清除气体供给至该处理容器之清除工程。如申请专利范围第1项之基板处理方法,其中该第四工程系包含将清除气体供应至该处理容器之清除工程。一种记录媒体,系为记录有藉由基板处理装置而在电脑中作动之基板处理方法之程式的记录媒体,该基板处理装置,系具有:内部支持被处理基板之处理容器;包含用为供给第一处理气体至该处理容器之流量调整手段之第一气体供给手段;设置在该处理容器以及该气体供给手段之间,将该第一处理器被供给之供给方向在供给至该处理容器之第一方向、或是在供给至使该第一处理气体被排气之气体管线之第二方向之任一个而切换之切换手段;及将该第二处理气体供给至该处理容器之第二气体供给手段,其特征为:该基板处理方法系设置有:第一工程,系藉由该流量调整手段而将该第一处理气体控制为第一流量而在该第一方向供给;第二工程,自该处理容器排出该第一处理气体;第三工程,将该第二处理气体供给至该处理容器;第四工程,自该处理容器将该第二处理气体排出,而反覆之该第一至第四工程;以及在一次的第一工程以及该次第一工程接着被实施之下一次第一工程之间,设置有处理气体流量安定工程,该处理气体流量安定工程系具有:在一次的第一工程之后,藉由该气体切换手段,而将该供给方向切换至该第二方向之工程(A);在该工程(A)之后,藉由该流量调整手段而使该第一流量减少至第二流量之工程(B);在该工程(B)之后,藉由该流量调整手段,使该第二流量增大至该第一流量之工程(C)。如申请专利范围第11项之记录媒体,其中该第一处理气体系包含经气化液体原料之气化气体,该第一气体供给手段系具有气化该液体原料之气化器,且被供给至该气化器之该液体原料之流量系藉由该流量调整手段而被控制。如申请专利范围第12项之记录媒体,其中对应于该第二流量之该液体原料流量系为该流量调整手段之最大设定流量之5%以上。如申请专利范围第13项之记录媒体,其中对应于该第二流量之该液体原料流量系为该流量调整手段之最大设定流量之10%以上。如申请专利范围第11项之记录媒体,其中该气体排气管线系连接于设置于该处理容器之将该处理容器予以排气之处理容器排气管线。如申请专利范围第11项之记录媒体,其中在该第三工程被开始前,系使该工程(B)被实施。如申请专利范围第16项之记录媒体,其中,系在该第三工程终了起而实施该工程(C)。如申请专利范围第12项之记录媒体,其中该液体原料系包含金属元素,该第二处理气体系包含用以氧化该金属元素之氧化气体。如申请专利范围第11项之记录媒体,其中该第二工程系包含将清除气体供给至该处理容器之清除工程。如申请专利范围第11项之记录媒体,其中该第四工程系包含将清除气体供应至该处理容器之清除工程。
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