发明名称 |
发光二极管 |
摘要 |
本发明涉及一种发光二极管,其包括:一第一电极、一反光层、一第二半导体层、一活性层、一第一半导体层及一第二电极,所述反光层、第一半导体层、活性层、第二半导体层及第二电极依次层叠设置在所述第一电极的一表面,所述反光层与所述第一电极接触设置,其中,所述第一半导体层靠近第二电极的表面为多个纳米级的凹槽形成一图形化的表面。 |
申请公布号 |
CN102760804A |
申请公布日期 |
2012.10.31 |
申请号 |
CN201110110778.4 |
申请日期 |
2011.04.29 |
申请人 |
清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 |
发明人 |
魏洋;范守善 |
分类号 |
H01L33/04(2010.01)I;H01L33/10(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I |
主分类号 |
H01L33/04(2010.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
一种发光二极管,其包括依次层叠设置的一第一电极、一反光层、一第二半导体层、一活性层、一第一半导体层、一碳纳米管层以及一第二电极,其特征在于,所述第一半导体层靠近第二电极的表面具有多个凹槽以形成一图形化表面作为发光二极管的出光面,所述碳纳米管层设置于该图形化的表面,并嵌入该多个凹槽中。 |
地址 |
100084 北京市海淀区清华大学清华-富士康纳米科技研究中心401室 |