| 发明名称 | 氧化聚硅氮烷层的方法以及形成沟槽隔离结构的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种氧化聚硅氮烷层的方法，包括：提供基底；在基底中形成沟槽；在沟槽中形成聚硅氮烷层；及在施加超音波的含酸溶液中对聚硅氮烷层进行处理，以将聚硅氮烷层转换成氧化硅层，其中含酸溶液包括磷酸、硫酸、H2SO4添加O3(SOM)、H2SO4添加H2O2(SPM)、H3PO4添加O3或H3PO4添加H2O2；及移除沟槽外的氧化硅层。 | ||
| 申请公布号 | CN102760660A | 申请公布日期 | 2012.10.31 |
| 申请号 | CN201110320248.2 | 申请日期 | 2011.10.20 |
| 申请人 | 南亚科技股份有限公司 | 发明人 | 施信益;陈逸男;刘献文 |
| 分类号 | H01L21/3105(2006.01)I;H01L21/762(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/3105(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 | 代理人 | 王达佐;阴亮 |
| 主权项 | 一种氧化聚硅氮烷层的方法，包括：提供基底，包括沟槽；在所述沟槽中形成聚硅氮烷层；及在施加超音波的含酸溶液中对所述聚硅氮烷层进行处理，以氧化所述聚硅氮烷层。 | ||
| 地址 | 中国台湾桃园县龟山乡华亚科技园区复兴三路669号 | ||