发明名称 |
3D非易失性存储器装置和其生产方法 |
摘要 |
提供了一种三维3D非易失性存储器装置和其生产方法。所述3D非易失性存储器装置,包括:管道栅极,包括第一管道栅极、第一管道栅极上形成的第二管道栅极、以及夹在第一管道栅极与第二管道栅极之间的第一层间绝缘层;与管道栅极上的第二层间绝缘层交替层叠的字线;在管道栅极内掩埋的管道通道;以及耦合到管道通道且被布置成穿过字线和第二层间绝缘层的存储器单元通道。 |
申请公布号 |
CN102760738A |
申请公布日期 |
2012.10.31 |
申请号 |
CN201210125445.3 |
申请日期 |
2012.04.26 |
申请人 |
爱思开海力士有限公司 |
发明人 |
李仁寭;朴丙洙;吴尚炫;朴仙美 |
分类号 |
H01L27/115(2006.01)I;H01L21/8247(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/115(2006.01)I |
代理机构 |
北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 |
代理人 |
俞波;郭放 |
主权项 |
一种三维3D非易失性存储器装置,包括:管道栅极,包括第一管道栅极、第一管道栅极上形成的第二管道栅极、以及夹在第一管道栅极与第二管道栅极之间的第一层间绝缘层;与管道栅极上的第二层间绝缘层交替层叠的字线;在管道栅极内掩埋的管道通道;以及耦合到管道通道且被布置成穿过字线和第二层间绝缘层的存储器单元通道。 |
地址 |
韩国京畿道 |