| 发明名称 | 用于使用太赫频率范围的辐射来分析样品的设备 | ||
| 摘要 | 提供了用于使用太赫频率范围的辐射来分析样品的设备。所述设备包括：发射器（3），所述发射器（3）包括用于生成电磁THz信号的THz信号生成器（5，6，7；51），所述THz信号生成器包括非线性传输线（7；52）。所述设备还包括表面等离子体偏振子生成单元（8），表面等离子体偏振子生成单元（8）适于将所述THz信号转换为表面等离子体偏振子。所述发射器（3）和所述表面等离子体偏振子生成单元（8）集成在一个公共的基底上或两个分开的基底上。 | ||
| 申请公布号 | CN102762973A | 申请公布日期 | 2012.10.31 |
| 申请号 | CN201180009472.8 | 申请日期 | 2011.02.07 |
| 申请人 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 发明人 | L·特里波迪;J·戈梅里瓦斯;U·R·R·普法伊费尔;P·G·哈林玻利瓦尔 |
| 分类号 | G01N21/35(2006.01)I;G01N21/55(2006.01)I;G02B6/122(2006.01)I | 主分类号 | G01N21/35(2006.01)I |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人 | 舒雄文;蹇炜 |
| 主权项 | 用于使用太赫频率范围的辐射来分析样品的设备，包括：‑发射器（3），包括用于生成电磁THz信号的THz信号生成器（5，6，7；51），所述THz信号生成器包括非线性传输线（7；52）；‑表面等离子体偏振子生成单元（8），适于将所述THz信号转换为表面等离子体偏振子；‑THz表面等离子体偏振子传感器（9），适于使生成的表面等离子体偏振子与样品（10）相互作用；以及‑接收器（4），包括适于将表面等离子体偏振子转换为电磁THz信号的THz表面等离子体偏振子探测器（11）；所述发射器（3）、所述表面等离子体偏振子生成单元（8）、以及所述接收器（4）集成在一个公共的基底上或两个分开的基底上；其中，用于生成THz表面等离子体偏振子的所有部件集成在所述单个基底上或分别集成在多个基底上。 | ||
| 地址 | 荷兰艾恩德霍芬 | ||