| 发明名称 | 制造离散轨道磁记录介质的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种制造离散轨道磁记录介质的方法。该制造离散轨道磁记录介质的方法包括以下步骤：(a)在基底上顺序地形成下层、记录层、光致抗蚀剂层和被图案化成第一图案的金属层，第一图案具有形成同心圆的线图案以预定间隔被重复布置的结构；(b)将光照射到金属层的表面上，以激发表面等离子体激元，使得表面等离子体激元传递的光能的分布使光致抗蚀剂层的位于金属层的图案之间的中部被曝光，以使光致抗蚀剂层被曝光成第二图案；(c)去除被图案化的金属层并对光致抗蚀剂层进行显影；(d)利用被图案化成第二图案的光致抗蚀剂层作为掩模来蚀刻记录层。 | ||
| 申请公布号 | CN102759853A | 申请公布日期 | 2012.10.31 |
| 申请号 | CN201210192665.8 | 申请日期 | 2008.08.04 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 金海成;李明馥;孙镇昇 |
| 分类号 | G03F7/00(2006.01)I;G03F1/80(2012.01)I;G11B5/84(2006.01)I | 主分类号 | G03F7/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人 | 刘灿强 |
| 主权项 | 一种制造离散轨道磁记录介质的方法，包括以下步骤：(a)在基底上顺序地形成下层、记录层、光致抗蚀剂层和被图案化成第一图案的金属层，第一图案具有形成同心圆的线图案以预定间隔被重复布置的结构；(b)将光照射到金属层的表面上，以激发表面等离子体激元，使得表面等离子体激元传递的光能的分布使光致抗蚀剂层的位于金属层的图案之间的中部被曝光，以使光致抗蚀剂层被曝光成第二图案；(c)去除被图案化的金属层并对光致抗蚀剂层进行显影；(d)利用被图案化成第二图案的光致抗蚀剂层作为掩模来蚀刻记录层。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道水原市 | ||