| 发明名称 | 光致抗蚀剂剥离用组合物和剥离方法以及显示装置的制法 | ||
| 摘要 | 本发明提供光致抗蚀剂剥离用组合物、使用该组合物的光致抗蚀剂剥离方法和显示装置的制造方法，该光致抗蚀剂剥离用组合物能够再次使用而剥离性能没有实质性降低并且金属图案没有损伤，从而能够减少照相蚀刻工序的成本。本发明中的光致抗蚀剂剥离用组合物含有80重量％～98.5重量％砜系化合物、1重量％～10重量％内酯系化合物以及0.1重量％～5重量％烷基磺酸。 | ||
| 申请公布号 | CN101424888B | 申请公布日期 | 2012.10.31 |
| 申请号 | CN200810174803.3 | 申请日期 | 2008.10.31 |
| 申请人 | 株式会社东进世美肯 | 发明人 | 洪瑄英;朴弘植;郑锺铉;金俸均;李智鲜;李炳珍;金柄郁;尹锡壹;金圣培;辛成健;许舜范 |
| 分类号 | G03F7/42(2006.01)I;H01L21/84(2006.01)I | 主分类号 | G03F7/42(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人 | 丁香兰 |
| 主权项 | 一种光致抗蚀剂剥离用组合物，该组合物含有80重量％～98.5重量％砜系化合物、1重量％～10重量％内酯系化合物以及0.1重量％～5重量％烷基磺酸，所述砜系化合物包括选自四氢噻吩‑1，1‑二氧化物、2‑甲基四氢噻吩‑1，1‑二氧化物、四氢噻吩‑3‑羟基‑1，1‑二氧化物、四氢噻吩亚砜之中的至少一种化合物；所述内酯系化合物包括选自γ‑丁内酯、α‑亚甲基‑γ‑丁内酯、γ‑己内酯之中的至少一种化合物；所述烷基磺酸包括选自甲基磺酸、乙基磺酸、丙基磺酸以及丁基磺酸之中的至少一种化合物。 | ||
| 地址 | 韩国仁川市 | ||