| 发明名称 | 硅穿孔结构及其形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种硅穿孔结构及其形成方法，该硅穿孔结构包括连通晶片的第一面与第二面的穿孔洞、填满穿孔洞的导电层、直接接触并围绕导电层的穿孔洞介电环、直接接触并围绕穿孔洞介电环的第一导电环、以及直接接触并围绕第一导电环又为晶片所围绕的第一介电环。 | ||
| 申请公布号 | CN102760710A | 申请公布日期 | 2012.10.31 |
| 申请号 | CN201110105754.X | 申请日期 | 2011.04.27 |
| 申请人 | 联华电子股份有限公司 | 发明人 | 郭建利;林佳芳 |
| 分类号 | H01L23/48(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/48(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 彭久云 |
| 主权项 | 一种硅穿孔结构，包括：晶片，包括第一面与第二面；穿孔洞，连通该第一面与该第二面；导电层，填满该穿孔洞中；穿孔洞介电环，直接接触并围绕该导电层；第一导电环，直接接触并围绕该穿孔洞介电环；以及第一介电环，直接接触并围绕该第一导电环，并为该晶片所围绕。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹科学工业园区 | ||