| 发明名称 | 嵌入式源/漏MOS晶体管及其形成方法 | ||
| 摘要 | 一种嵌入式源/漏MOS晶体管及其形成方法，所述嵌入式源/漏MOS晶体管包括：半导体衬底；栅极结构，位于所述半导体衬底上；堆叠源/漏，嵌于所述栅极结构两侧的半导体衬底内且暴露所述堆叠源/漏的上表面，所述堆叠源/漏包括介质层和位于所述介质层之上的半导体层。本发明能够隔断源区和漏区至半导体衬底的漏电流通路，有利于减小源区和漏区至半导体衬底的漏电流。 | ||
| 申请公布号 | CN102760765A | 申请公布日期 | 2012.10.31 |
| 申请号 | CN201110112309.6 | 申请日期 | 2011.04.29 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 钟汇才;赵超;梁擎擎 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/08(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种嵌入式源/漏MOS晶体管，其特征在于，包括：半导体衬底；栅极结构，位于所述半导体衬底上；堆叠源/漏，嵌于所述栅极结构两侧的半导体衬底内且暴露所述堆叠源/漏的上表面，所述堆叠源/漏包括介质层和位于所述介质层之上的半导体层。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||