发明名称 |
一种表面等离子体共振芯片的制备方法 |
摘要 |
本发明实施例公开了一种表面等离子体共振芯片的制备方法,包括:步骤a)将玻璃衬底放入真空溅射仪的生长室内;步骤b)向所述生长室内通入氩气,抽真空至10-1~10-3mbr,以铬为靶材,靶基距为5~9cm,在所述玻璃衬底上溅射铬薄膜;步骤c)以金为靶材、靶基距为5~9cm,在真空度为10-1~10-3mbr的条件下,在所述步骤b)得到的产物上溅射金薄膜。本发明采用真空溅射原理,并采用5~9cm的靶基距,制备得到的金属薄膜表面平整,厚度可控,可以用于表面等离子体共振芯片。实验结果表明,本发明制备的金属薄膜厚度均匀,为50nm左右。 |
申请公布号 |
CN102002670B |
申请公布日期 |
2012.10.31 |
申请号 |
CN201010594572.9 |
申请日期 |
2010.12.17 |
申请人 |
中国科学院长春应用化学研究所 |
发明人 |
牛利;王伟;包宇;李敏;韩冬雪 |
分类号 |
C23C14/18(2006.01)I;C23C14/34(2006.01)I |
主分类号 |
C23C14/18(2006.01)I |
代理机构 |
北京集佳知识产权代理有限公司 11227 |
代理人 |
魏晓波;逯长明 |
主权项 |
一种表面等离子体共振芯片的制备方法,其特征在于,包括:步骤a)将玻璃衬底放入真空溅射仪的生长室内;步骤b)向所述生长室内通入氩气,抽真空至10‑1~10‑3mbr,以铬为靶材,靶基距为5~9cm,在所述玻璃衬底上溅射铬薄膜,溅射电流为110~130mA,溅射时间为30~50秒;步骤c1)向所述生长室内通入氩气,抽真空至10‑1~10‑3mbr,以金为靶材、靶基距为5~9cm,在所述步骤b)得到的产物上溅射金薄膜40~120秒,冷却,溅射电流为60mA;步骤c2)在所述步骤c1)得到的产物上溅射金薄膜80~240秒,冷却,溅射电流为60mA;步骤c3)在所述步骤c2)得到的产物上溅射金薄膜120~360秒,溅射电流为60mA。 |
地址 |
130000 吉林省长春市人民大街5625号 |