| 发明名称 | 硅光电倍增器读出电路 | ||
| 摘要 | 一种硅光电倍增器(108)包括探测器像素(142)。该探测器像素包括单元(202)，该单元包括雪崩光电二极管(208)和读出电路(210)。该读出电路(210)包括抑制状态存储器(302)、充电电路(304)、单元抑制电路(306)、锁存光子触发电路(308)、读出电路(310)和触发输出电路(312)中的一个或多个。 | ||
| 申请公布号 | CN102763005A | 申请公布日期 | 2012.10.31 |
| 申请号 | CN200880102283.3 | 申请日期 | 2008.08.06 |
| 申请人 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 发明人 | G·普雷谢尔;T·弗拉克 |
| 分类号 | G01T1/24(2006.01)I;G01T1/29(2006.01)I | 主分类号 | G01T1/24(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 周红力;谭祐祥 |
| 主权项 | 一种装置包括：第一光电探测器单元(202)，包括：第一雪崩光电二极管(208)；第一电路(210)，用于感测第一光电二极管的雪崩并存储指示所感测的雪崩的第一1位数字值；第二光电探测器单元，包括：第二雪崩光电二极管；第二电路(210)，用于感测第二光电二极管的雪崩并存储指示所感测的雪崩的第二1位数字值。 | ||
| 地址 | 荷兰艾恩德霍芬 | ||