| 发明名称 | 一种半导体外延生长结构 | ||
| 摘要 | 本实用新型涉及一种半导体外延生长结构，用于降低锗薄膜的位错密度，包括Si衬底、覆盖在所述Si衬底上的Ge晶籽层、覆盖在所述Ge晶籽层上的Ge缓冲层、覆盖在所述Ge缓冲层上的Ge/Si1-xGex超晶格阻挡层、以及覆盖在所述Ge/Si1-xGex超晶格阻挡层上的Ge外延层。本实用新型中的Ge/Si1-xGex超晶格阻挡层能够阻碍位错向外延层的传输，降低了外延薄膜的位错密度。 | ||
| 申请公布号 | CN202513198U | 申请公布日期 | 2012.10.31 |
| 申请号 | CN201120544059.9 | 申请日期 | 2011.12.22 |
| 申请人 | 深圳信息职业技术学院 | 发明人 | 周志文;张卫丰;王新中 |
| 分类号 | H01L33/04(2010.01)I;H01L33/16(2010.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/04(2010.01)I |
| 代理机构 | 深圳市顺天达专利商标代理有限公司 44217 | 代理人 | 易钊 |
| 主权项 | 一种半导体外延生长结构，用于降低锗薄膜的位错密度，其特征在于，包括Si衬底（100）、覆盖在所述Si衬底（100）上的Ge晶籽层（200）、覆盖在所述Ge晶籽层（200）上的Ge缓冲层（300）、覆盖在所述Ge缓冲层（300）上的Ge/Si1‑xGex超晶格阻挡层（400）、以及覆盖在所述Ge/Si1‑xGex超晶格阻挡层（400）上的Ge外延层（500）。 | ||
| 地址 | 518029 广东省深圳市泥岗西路1068号 | ||