忆容器装置、场效应晶体管装置、非易失性存储器阵列及编程方法

摘要

一种忆容器装置包含一对相对导电电极。包含电介质内的移动掺杂剂的半导电材料及移动掺杂剂势垒电介质材料接纳于所述对相对导电电极之间。所述半导电材料及所述势垒电介质材料相对于彼此具有至少由至少一种不同原子元素来表征的不同组成。所述半导电材料及所述势垒电介质材料中的一者比所述半导电材料及所述势垒电介质材料中的另一者更靠近所述对电极中的一者。所述半导电材料及所述势垒电介质材料中的所述另一者比所述半导电材料及所述势垒电介质材料中的所述一者更靠近所述对电极中的另一者。本发明还揭示其它实施方案，包含场效应晶体管、存储器阵列及方法。

主权项

一种忆容器装置，其包括：一对相对导电电极；及包括电介质内的移动掺杂剂的半导电材料及移动掺杂剂势垒电介质材料，其接纳于所述对相对导电电极之间，所述半导电材料及所述势垒电介质材料相对于彼此具有至少由至少一种不同原子元素来表征的不同组成，所述半导电材料及所述势垒电介质材料中的一者比所述半导电材料及所述势垒电介质材料中的另一者更靠近所述对电极中的一者，所述半导电材料及所述势垒电介质材料中的所述另一者比所述半导电材料及所述势垒电介质材料中的所述一者更靠近所述对电极中的另一者。